Mit Gehäuseabmessungen von 2,4mm x 2,4mm, die branchenweit kleinsten für Standalone NFC-ICs, ermöglicht der neue NFC-IC Mobilgeräteentwicklern ein flexibleres und effizienteres Leiterplattenlayout. Smartphone-Hersteller können den Chip wegen seiner Anschlusskompatibilität auf einfache Weise auch als Standalone NFC-IC oder NFC System-in-Package (SiP) mit "embedded Secure Element" (eSE) einsetzen.
Als industrieweit einziger NFC-IC, der in einem 45nm e-Flash-Prozess gefertigt wird, erlaubt der S3FWRN5 einfache und sichere Firmware-Aktualisierungen ohne Re-Design der Architektur. Der e-Flash-Bereich lässt sich über Firmware Updates sicher modifizieren, wenn die Funktionen des Chips um neue Leistungsmerkmale erweitert werden müssen. Dies ermöglicht Mobilgeräteherstellern eine kürzere Entwicklungszeit als mit Lösungen auf ROM-Basis (Read Only Memory).
Der S3FWRN5 beinhaltet auch die LPS-Technologie (Low Power Sensing) von Samsung - ein neu optimierter Algorithmus zum Aufspüren von Signalen bei geringst möglicher Leistungsaufnahme. Die Technologie minimiert den Energieverbrauch des NFC-ICs, wenn er kontinuierliche Signale sendet, um andere NFC-Geräte oder NFC-Tags zu erkennen. Durch den Einsatz der LPS-Technologie wird die Leistungsaufnahme des Chips, verglichen mit Samsungs früherem NFC-Produkt, um etwa 25% reduziert.
Aufgrund ihrer beeindruckenden HF-Leistungsfähigkeit hat die neue NFC-Lösung weltweit mehrere NFC-Zertifizierungen erhalten. Diese wurden von namhaften Organisationen wie Europay, MasterCard und Visa (EMV), China UnionPay, China Mobile Communication Corporation (CMCC) und NFC Forum weltweit auch für die universelle Kompatibilität der Lösung zu kontaktlosen NFC-Lesern und NFC-Tags vergeben.
Samsung hat mit der Massenproduktion des 45nm e-Flash NFC-ICs in der zweiten Jahreshälfte 2014 begonnen. Der NFC-IC ist im neuesten Flaggschiff-Smartphone Galaxy Note 4 von Samsung enthalten. Samsung wird den Einsatz dieser NFC-Lösung auf dem globalen Markt weiter vorantreiben.